实验室博士研究生Ahmed Reda Mohamed、硕士研究生高越和何涛参加2019 ISCAS(IEEE国际电路与系统研讨会)

2019-06-0412:58:17 发表评论浏览:34
摘要

2019年5月26-29日,Ahmed Reda Mohamed,高越和何涛在日本札幌参与了ISCAS(IEEE国际电路与系统研讨会)。分别展示了各自的论文成果。

2019年5月26-29日,Ahmed Reda Mohamed,高越和何涛在日本札幌参与了ISCAS(IEEE国际电路与系统研讨会)。分别展示了各自的论文成果。

Reda就他的论文“Untrimmed CMOS Nano-Ampere Current Reference with Curvature-Compensation Scheme”做了口头报告。Reda的论文展示了在宽温度范围内的未经修正的稳定CMOS纳安培电流基准,它具有曲率补偿方案,该方案通过实用的自偏置CMOS β倍增器电路实现,并且在MOSFET的零温度系数附近工作。在-40℃至85℃的温度范围内,电流基准为142.5 nA,温度系数(TC)为40 ppm /℃,在1.2 V至2 V的电源电压范围内,线路灵敏度达到1.45%/ V。 所提出的电路采用0.18μ𝒎 CMOS工艺设计和封装,单电源电压为1.8 V.

实验室博士研究生Ahmed Reda Mohamed、硕士研究生高越和何涛参加2019 ISCAS(IEEE国际电路与系统研讨会)

高越就她的论文“Live Demonstration: A Pulmonary Conditions Monitor Based on Electrical Impedance Tomography Measurement”进行了现场展示。高越同学的Live Demo展示了一个基于EIT芯片的测试系统。该系统基于实验室的EIT芯片成果,实现了待测模型的断层阻抗分布图的连续实时重建成像。该系统具有低功耗和无辐射危害等优点,在医疗成像领域有广阔的应用前景。

实验室博士研究生Ahmed Reda Mohamed、硕士研究生高越和何涛参加2019 ISCAS(IEEE国际电路与系统研讨会)

何涛就他的论文“A High Conversion Gain Wideband Mixer Design For UWB Applications” 做了口头报告。何涛的口头报告展示了一个具有高增益,宽带宽的混频器电路。该电路综合了多种增益提高的技术,并且提出了自己的阻抗匹配网络。

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